Pasifasyon Teknolojileri: Al₂O₃, SiO₂ ve SiNₓ Karşılaştırması Güneş hücresinin verimliğini sınırlayan ve kritik fiziksel mekanizmalardan biri yüzeyin yeniden birleştirilmesidir. Silisyum kristalinin gözenekleri, atomik düzeydeki değişimleri ve parçalı bağlar (sarkan bağlar) içerir; bu kusurlar, fotoüretilen taşıyıcıların elektrik şebekesine dönüşmeden önce yok olmasına yol açar. Pasifasyon katmanları, tam da bu oranlar bölmeleri için tasarlanmıştır. Endüstride yaygın olarak kullanılan üç pasifasyon malzemesi alüminyum oksit (Al₂O₃), silisyum dioksit (SiO₂) ve silisyum nitrürdür (SiNₓ :H ). Bu üç malzeme farklı fiziksel mekanizmalar, toplanma yöntemleri ve optimum kullanım bölgelerinin dağılımı birbirinden belirgin biçimde ayrışır. Bu, her şeyin bir para birimi fiziği, üretim değişikliği ve pratik performans bakış açısını karşılaştırıyoruz. Pasifasyonun Fiziksel Temeli Bir silisyum yüzeyini pasifize eden iki temel yol vardır: 1. Kimyasal Pasifasyon (Kimyasal Pasivasyon) S...
Ataman Korkmaz / Kimyager / Sanayi / AR-GE / Kimya